环保企业跨界半导体：武汉天源拟5亿投建磷化铟生产基地

大湾区经济网10月15日讯 上市公司向AI算力产业链最上游延伸的动作还在继续。老牌环保能源企业武汉天源（301127.SZ）10月14日晚间公告，计划总投资约5亿元建设高纯铟及磷化铟多晶生产基地。

项目选址楚雄高新区云甸化工园区，规划用地面积约45亩，建设工期12个月。达产后将形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力，由公司新设全资子公司负责投资、建设与运营。

武汉天源核心业务聚焦环境治理与绿色能源两大领域。公司此前已布局磷化铟赛道——8月末完成对中讯半导体60%股权的收购，交易对价750万元，并配套投入6700万元用于产线建设。中讯半导体主营磷化铟等化合物半导体衬底材料，已具备2至4英寸单晶衬底的生产技术条件。

值得注意的是，公司在公告中同步提示多重风险：暂无高纯铟提纯及磷化铟多晶制备业务的自有技术和人员储备，暂不具备独立开展相关业务的技术基础；相关生产业务尚处发展初期，目前尚无在手订单，短期内不会对经营业绩构成重大影响。

高纯铟及磷化铟多晶是支撑5G/6G、AI算力、光通信等高端领域的关键半导体材料。随着AI算力需求激增，全球磷化铟衬底供需缺口显著。今年6月，深耕化工领域的宿迁联盛也曾宣布跨界磷化铟衬底业务，后因信息披露不准确、不完整被上交所予以监管警示。

文/海霞，内容素材/公司公告、公开资料

编辑/可可