台积电重大调整！退出GaN代工 聚焦先进封装与EUV技术

网综合消息，全球半导体制造龙头台积电近日宣布多项战略调整，包括计划在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务，关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂，并整合三座8英寸晶圆厂资源，以优化资产配置并聚焦先进制造技术。

据网了解，台积电将整合位于新竹的三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8），并计划将最多30%的员工重新部署至南部科学园区（STSP）和高雄工厂。此举旨在缓解劳动力短缺问题，降低运营成本，同时提升资产利用效率。

此次战略调整中，台积电明确了新的业务重心。其中，6英寸Fab 2晶圆厂将转型为CoPoS面板级封装工厂，而8英寸晶圆厂将重点投入EUV（极紫外）光刻掩膜保护膜的内部生产。这一举措旨在减少对ASML及其供应链的依赖，同时提高先进工艺的良率并控制成本。

氮化镓生产车间。

随着半导体工艺节点向7nm以下推进，EUV光刻技术成为关键，但成本居高不下。ASML EUV光刻机单价约1.5亿美元，最新的High NA EUV系统更是超过3.5亿美元。面对成本压力，台积电已减少High NA订单，并加速内部研发以提升EUV良率，其中保护膜技术被视为关键突破口。

消息人士指出，台积电退出GaN代工业务，一定程度上源于中国大陆企业在第三代半导体市场的激烈价格竞争。目前，包括瑞萨电子、德州仪器、英飞凌等国际厂商均在扩大GaN产能，而中国大陆企业也在加速相关项目布局。在此背景下，台积电选择将资源集中于更具技术壁垒的先进封装和EUV领域。

分析师表示，台积电自主研发EUV保护膜技术，有望优化生产流程、提高良率并降低成本，进一步巩固其在先进制程领域的领先地位。尽管保护膜技术面临专利等挑战，但相关设备和材料供应商可能受益于台积电的转型需求。据悉，台积电已向世界先进（VIS）和VSMC等企业出售部分旧设备，交易金额达7100万至7300万美元，为业务调整铺路。